半導体基板用クラッド材(熱対策用途)

シリコンウエハー、セラミックとの熱膨張の整合性に富み、熱伝導性、加工性に優れた性能を発揮する日立の半導体基板用クラッド材です。

半導体基板用

使用例 使用目的 用途 Usage バッファー材 Buffer Material オルタネータ Alternator in Automobiles バッファー材 Buffer Material ハイブリッドIC Hybrid IC バッファー材 Buffer Material ＆ ヒートシンク Heat Sink メタル基盤 Metal Substrate

半導体用クラッド材の特長

シリコン、セラミックとの熱膨張の整合性に富み
熱伝導性、加工性に優れた性能を発揮するクラッド材です。

　半導体基盤用クラッド材“CIC”は、インバー(Fe-36%Ni合金)を母材とし、その両表面に無酸素銅を金属学的に接合した3層構造のクラッド材です。

特長

用途

半導体用クラッド材（CIC）の構成

クラッド材　Clad Metal 仕様　Specification 構成　Construction 製品名 Products ： CIC 構成材 Material ： 　銅　／　鉄−ニッケル合金　／　銅 Cupper ／ Iron-Nickel Alloy ／ Copper 板厚 Thickness : 0.1〜3.0mm 幅 Width : 1.0〜170mm 板厚比 Thickness Ratio Cu(10〜40%) Fe-Ni(Bal.) Cu(10〜40%)

CICと汎用バッファ材の特性比較

項目 Head			CIC							Mo	W	W-10%Cu
			板厚比 Thickness ratio (Cu:Invar:Cu)
			1:8:1	1:5:1	1:3:1	1:2:1	1:1:1	1.5:1:1.5	2:1:2
機械的特性	引張強さ(MPa) Tensil Strength		300〜686							* 617.4	* 989.8	490
	ビッカース硬さ(Hv) Vickers Hardness		130〜250(Invar)							* 160	* 370	300
	弾性係数(×103MPa) Modulus of Elasticity		140.1	136.2	132.3	129.4	122.5	121.2	119.8	* 323.4	* 382.2	333.2
物理的特性値	熱膨張係数(×10-6/℃・m) Coefficient of Thermal		4.1	5.3	6.9	8.4	11.0	12.3	13.1	5.1	4.5	6.0
	熱伝導率 (W/℃・m) Thermal Conductivity	板厚 方向 Thicness	13.6	15.2	18.0	21.4	31.2	40.6	49.4	142.3	167.5	209.4
		板面 方向 Face	87.0	119.6	163.0	201.0	264.3	296.0	315.0
	導電率(%) Conductivity		21.2	29.2	40.1	49.5	65.3	73.4	78.0	34.0	35.0	26.0
	体積抵抗率(μΩ・m) Volume Resisivity		0.0817	0.0590	0.0430 (0.0423)	0.0348	0.0264 (0.0253)	0.0235	0.0221	0.0507	0.0493	0.0663
	比重(g/cm3) Specific Gravity		8.39	8.45	8.53	8.61	8.72	8.74	8.77	10.2	19.3	18.3
その他	半田濡れ性 Sold		◎							△	△	△
	プレス性 Press		◎							○	△	△
	めっき性 Plating		◎							△	△	△
	価格 Cost		◎							×	×	×

1)	*印の値は、調質状態によって変わる　* Changing the mark according to a state is shown
2)	凡例 explanatory notes ：◎良好 Good 、○普通 Normal 、Δ悪い Bad 、×高価 Hight cost
3)	体積抵抗率の（）値は実測値を示す ( )value of the rate of volume resistance shows an actual measurement.